BWET08U -XXG SPI (Interfaz periférica serie) IC de memoria flash NAND para redes de dispositivos vestibles inteligentes
BWET08U -XXG SPI (Interfaz periférica serie) IC de memoria flash NAND para redes de dispositivos vestibles inteligentes
La memoria flash NAND SPI (Interfaz periférica serie) proporciona una solución de memoria más rentable. El almacenamiento flash NAND SLC de grado industrial compensa la baja capacidad, el alto precio y la baja velocidad de la memoria flash NOR SPI. Debido a su compatibilidad con la memoria flash NOR SPI con respecto a la interfaz de acceso, se utiliza ampliamente en muchas soluciones integradas.
Características:
Tamaño de paquete más pequeño
Ahorra espacio en la placa PCB y consumo de pines MCU
Reduce el costo del producto
Amplia compatibilidad
Compatible con la interfaz de memoria flash NOR SPI
Múltiples interfaces para aplicaciones más amplias
Alta fiabilidad
Utiliza SLC industrial con 10 años de retención de datos y 100.000 ciclos de vida útil de borrado
Alto rendimiento
Logra una mayor capacidad y una mayor velocidad de acceso en comparación con la memoria flash NOR SPI
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Especificación:
| Interfaz | Soporte: SPI estándar, dual, cuádruple |
| SPI estándar: SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD# | |
| SPI dual: SCLK, CS#, SIO0, SIO1, WP#, HOLD# | |
| SPI cuádruple: SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, SIO3... | |
| Dimensiones | 8,00 × 6,00 mm / 10,30 × 10,60 mm |
| Frecuencia | 80 MHz |
| Densidad | 1 Gb / 2 Gb / 4 Gb |
| Voltaje de funcionamiento | 2,7 V - 3,6 V |
| Temperatura de funcionamiento | -40℃ a 85℃ |
| Plataformas de verificación aprobadas | MediaTek: MT7526, MT7525, MT7526F, MT7526G… |
| ZTE: ZX279127, ZX279128… | |
| Embalaje | LGA8 / LGA16 |
| Aplicación | Dispositivos vestibles inteligentes / Redes |
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC para teléfono inteligente
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC para vehículos / teléfonos inteligentes / juegos
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC para el vehículo / portátil
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Chip de circuito integrado para uso inteligente AR/VR
BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) EMCP IC BWMA24B-XXGC
| Imagen | parte # | Descripción | |
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BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC para teléfono inteligente |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
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DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC para vehículos / teléfonos inteligentes / juegos |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
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BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC para el vehículo / portátil |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
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UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
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BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G EPOP LPDDR4X Chip de circuito integrado para uso inteligente AR/VR |
BIWIN ePOP Chips combines MMC and Mobile LPDDR in a single package with different capacities
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BWCC2KD6-32G(32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G(64GB+32Gb) EMCP IC BWMA24B-XXGC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
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