BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC para teléfono inteligente
fabricante:
BIWIN
Descripción:
LPDDR (siglas de Low Power Double Data Rate) SDRAM es un tipo de DDR, que se caracteriza principalme
Categoría:
Circuito integrado de sensor de posición rotatoria
En existencia:
en stock
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Unión Occidental
Método de envío:
Expresar
Especificaciones
Categoría:
Componentes electrónicos-Memoria
Familia:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G Circuito integrado LPDDR
Aplicación:
En el vehículo/teléfono inteligente/juegos
Temperatura de funcionamiento:
-20 ℃ -85 ℃
Selección Números de pieza:
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G Circuito integrado LPDDR
Especificaciones del producto Interfaz:
LPDDR (siglas de Low Power Double Data Rate) SDRAM es un tipo de DDR, que se caracteriza principalme
Dimensiones:
PDDR 2: 12,00 × 12,00 mm LPDDR 3: 11,50 × 11,00 mm LPDDR 4: 11,00 × 14,50 mm LPDDR 4x: 11,50 × 13,00
voltaje de trabajo:
LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1,8 V, VDD2=1,2 V, VDDCA=1,2 V, VDDQ=1,2 V LPDDR 4: VDD1=1,8 V, VDD2=1,1 V,
Capacidad:
LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 G
Introducción
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC para teléfonos inteligentes
LPDDR (siglas de Low Power Double Data Rate) SDRAM es un tipo de DDR, que se caracteriza principalmente por su bajo consumo de energía.
BIWIN Low Power DDR ofrece una solución RAM de alto rendimiento y rentable. La última generación de LPDDR4 exhibe un aumento del 50% en el rendimiento en comparación con LPDDR3. El consumo eficiente de energía y la mayor frecuencia de LPDDR4 lo convierten en una opción favorita para los dispositivos electrónicos contemporáneos.
Especificación:
| Interfaz | LPDDR 2 |
| LPDDR 3 | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x | |
| Capacidad | LPDDR 2: 2 Gb - 8 Gb |
| LPDDR 3: 4 Gb - 16 Gb | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 4 Gb - 48 Gb | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 16 Gb - 64 Gb | |
| Frecuencia | LPDDR 2: 533 MHz |
| LPDDR 3: 933 MHz | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 1866 MHz | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 3200 MHz | |
| Voltaje de funcionamiento | LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1=1.8 V, VDD2=1.2 V, VDDCA=1.2 V, VDDQ=1.2 V |
| LPDDR 4: VDD1=1.8 V, VDD2=1.1 V, VDDQ=1.1 V, LPDDR 4x: VDDQ=0.6 V | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: VDD1=1.70-1.95 V, 1.8 V NOM, VDD2H=1.01-1.12 V, 1.05 V NOM, VDD2L=VDD2H o 0.87-0.97 V | |
| Plataformas de verificación aprobadas | Spreadtrum: 7731E, 9832E, 9820E, SC9850K... |
| Qualcomm: 8909... | |
| MediaTek: MT6580, MT6735, MT6737… | |
| HiSilicon: Hi3798MV310… | |
| Allwinner: B288, A50, B300… | |
| Rockchip: RK3128, RK3228, RK3229... | |
| Amlogic: S905X, S905Y2… | |
| Mstar: MSO9385… | |
| Temperatura de funcionamiento | -20℃ - 85℃ |
| Dimensiones | LPDDR 2: 12.00 × 12.00 mm |
| LPDDR 3: 11.50 × 11.00 mm | |
| LPDDR 4: 11.00 × 14.50 mm | |
| LPDDR 4x: 11.50 × 13.00 mm | |
| LPDDR 5 / LPDDR 5x: 12.40 × 15.00 mm | |
| Empaquetado | FBGA168 / FBGA178 / FBGA200 / FBGA315 |
| Aplicación | Teléfono inteligente |
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Común:
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Cuota de producción:
100pieces