FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
fabricante:
ESMT (Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc.)
Descripción:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 Gb NAND Flash (128 Mbx8) 1,8 V 1 Gb LPDDR2 SDRAM (32 Mbx32) 45 ns 400/533 MHz 10
Categoría:
CI de microcontrolador
En existencia:
En stock
Precio:
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Forma de pago:
T/T
Método de envío:
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Especificaciones
Nombre del producto:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (Flash NAND + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Descripción:
FM6BD1G1GMB 1,8 V 1 Gb NAND Flash (128 Mbx8) 1,8 V 1 Gb LPDDR2 SDRAM (32 Mbx32) 45 ns 400/533 MHz
Categoría:
Circuitos integrados (CI) -FM6BD1G1GMB
Paquete / Estuche:
10,5x8 (mm) 162BGA
Temperatura de funcionamiento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje:
Montaje en superficie
fabricante:
ESMT
Número de producto básico:
FM6BD1G1GMB
Números de pieza:
FM6BD1G1GMB-1.8BLCEFM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Introducción
FM6BD1G1GMB-1.8BLCE 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) FM6BD1G1GMB(2M) FM62D1G1GMB (2G) FM6BD1G1GMB (2G)
Descripción:FM6BD1G1GMB 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) 45ns 400/533MHz 10.5x8 (mm) 162BGA
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Más circuitos integrados de memoria flash MCP Número de pieza:
| 1G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| FM6BD1G1GMB(2M) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) y otros dispositivos de almacenamiento | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| FM6BD1G1GMB (2G) | 1.8V 1Gb NAND Flash (128Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (32Mbx32) | 45ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| 2G+1G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Se aplicará el método de ensayo de las unidades de producción. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 1Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx16) y el resto de los dispositivos | 30ns, 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| El número de emisores de radio y de radio de la estación de radiodifusión es el número de emisores de radio y de radio de la estación de radiodifusión. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 400/533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicará el método de clasificación de las unidades de producción de las unidades de producción. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) y el resto de los dispositivos | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) y el resto de los dispositivos | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicará el método de evaluación de la calidad de los productos. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| 2G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Las medidas de seguridad se aplicarán en el caso de las aeronaves de las categorías M1 y M2. | 1.8V 2Gb NAND Flash (256Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) y el resto de los dispositivos | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 bolas |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Se aplican las siguientes condiciones: | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| FM6BD4G2GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 30ns; 533/400MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se determinarán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx16) y otros dispositivos de almacenamiento de datos | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicará a los vehículos de las categorías A y B. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR2 SDRAM (64Mbx32) | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| 4G+2G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 2Gb LPDDR4x SDRAM (128Mbx16) y el resto de los componentes de la memoria | 30 ns; 1866 MHz | 9.5x8 (mm), 149 bolas |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR2) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| FM6BD4G4GXB(2X) | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) y otros dispositivos de almacenamiento | 30ns; 400/ 533MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicarán las siguientes medidas: | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) y otros dispositivos de almacenamiento | 30 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| Se aplicarán las siguientes medidas: | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR2 SDRAM (128Mbx32) y otros dispositivos de almacenamiento | 45 ns; 533 MHz | 10.5x8 (mm), 162 bolas |
| 4G+4G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. | 1.8V 4Gb NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) y el resto de los dispositivos | 30 ns; 1866/2133 MHz | 9.5x8 (mm), 149 bolas |
| 8G+8G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| Se trata de una serie de señales de radio que se transmiten por radio a través de las redes de radio de la Unión Europea. | 1.8V 4Gb x2die NAND Flash (512Mbx8) + 1.8V 4Gb x2die LPDDR4x SDRAM (256Mbx16) y otros dispositivos de almacenamiento de datos | 30ns; 1866/ 2133MHz | 9.5x8 (mm), 149 bolas |
| 16G+16G (NAND Flash + LPDDR4x) | |||
| Número de parte | Descripción | Velocidad (MHZ) | Paquete |
| El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 1.8V 8Gb x2die NAND Flash (1024Mbx8) + 1.8V 16Gb x1die LPDDR4x SDRAM (1Gbx16) y otros dispositivos de almacenamiento de datos | 30 ns; 2133 MHz | |
Aplicación:
Automóvil
Trabajo en red
Consumidor
Cuadro de configuración superior
Industriales
Muestra
IOT
Vigilancia de la seguridad
Dispositivos portátiles
Periféricos para PC
Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. (ESMT) es una empresa profesional de diseño de circuitos integrados, fundada en junio de 1998 en el Parque Industrial Científico Hsinchu de Taiwán.El negocio principal de la compañía incluye diseño de productos de IC de marca propia, fabricación, ventas y servicios técnicos. ESMT se hizo pública con éxito en la Bolsa de Valores de Taiwán, código 3006, en marzo de 2002.
ESMT SPI NAND Flash Productos más en stock:
| NAND y SPI | |||
| 1Gb | |||
| Número de la parte | Descripción | Velocidad (mHz) | Paquete |
| F50L1G41LB ((2M) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 104 MHz | WSON de 8 contactos |
| F50D1G41LB ((2M) | Las condiciones de las instalaciones deberán ser las siguientes: | 50 MHz | WSON de 8 contactos |
| Las condiciones de los requisitos de seguridad de las aeronaves se determinarán en el anexo II. | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 104 MHz | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| 2Gb | |||
| Número de la parte | Descripción | Velocidad (mHz) | Paquete |
| F50L2G41XA ((2B) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 104 MHz | WSON de 8 contactos |
| F50L2G41XA (2BE) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 104 MHz | LGA de 8 contactos |
| Las condiciones de los requisitos de seguridad de las aeronaves se determinarán en el anexo II. | Las condiciones de las instalaciones deberán ser las siguientes: | 83MHz | LGA de 8 contactos |
| El punto de referencia de la parte I del anexo I se sustituye por el texto siguiente: | Las condiciones de las instalaciones deberán ser las siguientes: | 83/ 104 MHz | WSON de 8 contactos |
| 4Gb | |||
| Número de la parte | Descripción | Velocidad (mHz) | Paquete |
| F50D4G41XB ((2X) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 83MHz | LGA de 8 contactos |
| F50L4G41XB ((2X) | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 104 MHz | WSON de 8 contactos |
| Las condiciones de los requisitos de seguridad de las aeronaves de las categorías IIa y IIIa se establecen en el anexo I. | Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. | 83MHz | LGA de 8 contactos |
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