Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia 1SS226 para la transferencia ultra de alta velocidad
Especificaciones
Descripción:
Poder, hola diodo 0.1A 80V VR del interruptor del SPD que cambia
Categoría:
Componente-diodos electrónicos
Características:
Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia 1SS226
Familia:
NPN perjudicó el transistor SOT-323 de la señal
Montaje:
Montaje en superficie
Uso:
Transferencia de la Ultra-Alto-velocidad
Paquete:
3-Pin SOT23
Plazo de ejecución:
En existencia
Alta luz:
Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia
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Introducción
Planar epitaxial del silicio de los diodos de transferencia 1SS226 para la transferencia de la Ultra-Alto-velocidad
1. Usos
• Transferencia de la Ultra-Alto-velocidad
2. Características
(1) AEC-Q101 calificó
Característica | Transferencia de alta velocidad |
---|---|
Conexión interna | Serie |
Número de circuitos | 2 |
AEC-Q101 | Calificado (*) |
Productos compatibles de RoHS (#) | Disponible |
1SS226TE85IF
Diodo que cambia 85V 0.1A 3-Pin S-mini T/R
Final de la ventaja | Lata-Plata-cobre |
Max Processing Temp | 260 |
Montaje | Soporte superficial |
Temperatura de funcionamiento | °C -55 a 125 |
Corriente delantera media máxima | 0,1 A |
Voltaje delantero máximo | 1,2 V |
Sobretensión sin repetición máxima | 2 A |
Voltaje reverso repetidor máximo | 85 V |
Corriente reversa máxima | 0,5 UA |
Tiempo de recuperación reversa máximo | 4 ns |
Pin Count | 3 |
Dimensiones del producto | 2,9 x 1,5 x 1,1 milímetros |
Paquete del proveedor | S-mini |
Tipo | Diodo de transferencia |
Envíe el RFQ
Común:
Cuota de producción:
100pcs