60V 10.8A Diodos Transistores FETS DMT6009LSS-13 Canal único MOSFET N
Transistores de diodos 60V 10.8A
,DMT6009LSS-13
,Transistores FETS DMT6009LSS-13
Solos transistores del canal N 60V 10.8A del MOSFET DMT6009LSS-13
Semiconductor discreto del MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 de los FETS
Especificación DMT6009LSS-13:
| Número de parte | DMT6009LSS-13 |
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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Diodos incorporados
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Serie
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-
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
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Situación de la parte
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Activo
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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60 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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10.8A (TA)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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9.5mOhm @ 13.5A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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33,5 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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1925 PF @ 30 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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1.25W (TA)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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8-SO
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Paquete/caso
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8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
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Número bajo del producto
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DMT6009
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