13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
Especificaciones
Categoría:
Componentes electrónicos-IGBTS Transistores-Mosfet
Familia:
Productos de semiconductor discretos
Tipo:
N-Ch MOSFET
Número de parte bajo:
13N60ES
Detalles:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Aplicaciones:
Cocina inductiva, aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
IGBT NPT, parada de campo de trinchera 1600 V 60 A 312 W a través del hoyo PG-TO247-3-1
Paquete:
TO220
Tipo de montaje:
A través del agujero
Introducción
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES
Applications:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications
Specification:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Part number | 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET |
Category
|
Discrete Semiconductor Products
|
Transistors - IGBTs - Single
|
|
Series
|
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
|
Package
|
Tube
|
Operating Temperature
|
-40°C ~ 175°C (TJ)
|
Mounting Type
|
Through Hole
|
Package / Case
|
TO-220
|
Supplier Device Package
|
TO-220 3P
|
Environmental & Export Classifications
ATTRIBUTE | DESCRIPTION |
---|---|
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
REACH Status | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
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Imagen | parte # | Descripción | |
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Común:
In Stock
Cuota de producción:
10pieces