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13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET

fabricante:
Tecnologías Infineon
Descripción:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Categoría:
Componentes electrónicos
En existencia:
En stock
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/t, unión occidental
Método de envío:
Expresar
Especificaciones
Categoría:
Componentes electrónicos-IGBTS Transistores-Mosfet
Familia:
Productos de semiconductor discretos
Tipo:
N-Ch MOSFET
Número de parte bajo:
13N60ES
Detalles:
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Aplicaciones:
Cocina inductiva, aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
IGBT NPT, parada de campo de trinchera 1600 V 60 A 312 W a través del hoyo PG-TO247-3-1
Paquete:
TO220
Tipo de montaje:
A través del agujero
Introducción

FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 3N60ES

13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET

Applications:
• Inductive Cooking
• Soft Switching Applications

 

 

Specification:FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES

Part number 13N60ES FMV13N60ES FMV30N60S1 MOSFET
Category
Discrete Semiconductor Products
 
Transistors - IGBTs - Single
Series
FMV13N60ES 600V 30A N CHANEL MOSFET FMV30N60S1 13N60ES
Package
Tube
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220
Supplier Device Package
TO-220 3P

 

Environmental & Export Classifications
ATTRIBUTE DESCRIPTION
RoHS Status ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
REACH Status REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET13N60ES FMV13N60ES  FMV30N60S1 MOSFET

 

 

 

 
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Común:
In Stock
Cuota de producción:
10pieces