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Semiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

Categoría:
Semiconductores discretos
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Familia:
Productos semiconductores discretos
Categoría:
Componente-transistores electrónicos
Número de parte bajo:
PBHV8540
Detalles:
Transistor bipolar (BJT) NPN 400 V 500 mA 30MHz 520 mW
Tipo:
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Descripción:
Transporte NPN 400V 0.5A SOT89
Paquete:
SOT-89
Montaje del tipo:
Soporte superficial
Alta luz:

PBHV8540X

,

PBHV8540

,

Transistor bipolar de Nexperia BJT

Introducción

Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor bajo de alto voltaje de NPN VCEsat (BISS)

Transistor bajo de alto voltaje discreto de los productos-UNo NPN VCEsat (BISS) del semiconductor

Descripción:

Brecha baja de alto voltaje de NPN VCEsat en pequeño transistor de la señal (BISS) en un poder medio SOT89 (SC-62) y un paquete plástico Superficie-montado ventaja plana del dispositivo (SMD). Complemento de PNP: PBHV9040X.

Uso:

• Conductor del LED para el módulo de cadena del LED

• El hacer excursionismo del LCD

• Gestión automotriz del motor

• Interruptor del gancho para las telecomunicaciones atadas con alambre

• Fuente de alimentación del modo del interruptor (SMPS)

Características:

• Alto voltaje

• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat

• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector

• Alto hFE del aumento actual de colector en alto IC

• AEC-Q101 calificó

Versión de la descripción del nombre

Paquete superficie-montado plástico de PBHV8540X SOT89; muere el cojín para la buena transferencia de calor; 3 ventajas

Especificaciones técnicas del producto

Categoría
Productos de semiconductor discretos
 
Transistores - bipolares (BJT) - solos
Mfr
Nexperia los USA Inc.
Situación de la parte
Activo
Tipo del transistor
NPN
Actual - colector (Ic) (máximo)
500 mA
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
400 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic
250mV @ 60mA, 300mA
Actual - atajo del colector (máximo)
100nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Poder - máximo
520 mW
Frecuencia - transición
30MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
TO-243AA
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-89
Número bajo del producto
PBHV8540
Número de parte PBHV8540X, 115
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95

Imágenes:

Semiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 NexperiaSemiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

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Común:
Cuota de producción:
10