MOSFET IC del poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
BSC070N10NS3GATMA1
,MOSFET del poder de Infineon OptiMOS
,BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
Canal N 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC del MOSFET del poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon
Descripción:
Los MOSFETs del poder del 100V OptiMOS™ de Infineon ofrecen las soluciones superiores para la eficacia alta, alta poder-densidad SMPS.
Comparado a la mejor tecnología siguiente esta familia alcanza una reducción del 30% en ambos R DS (encendido) y FOM (figura del mérito).
Usos potenciales:
Rectificación síncrona para AC-DC SMPS
Control de motor para los sistemas 48V-80V (es decir vehículos, poder-herramientas, camiones nacionales)
Convertidores aislados de DC-DC (sistemas de las telecomunicaciones y del datacom
Interruptores y disyuntores del anillo o en los sistemas 48V
Amplificadores audios de la clase D
Fuentes de alimentación ininterrumpibles (UPS)
Resumen de características:
Funcionamiento que cambia excelente
El R más bajo DS del mundo (encendido)
Gd bajo mismo de Q g y de Q
Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido) (FOM)
Obediente-halógeno de RoHS libre
MSL1 valoró 2
Ventajas
Respetuoso del medio ambiente
Eficacia creciente
Densidad del poder más alto
El menos ser paralelo a requerido
El consumo más pequeño del tablero-espacio
productos del Fácil-a-diseño
Especificaciones:
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Categoría
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Infineon Technologies
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Serie
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OptiMOS™
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
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Situación de la parte
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Activo
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Tipo del FET
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Canal N
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Tecnología
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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100 V
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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90A (Tc)
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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7mOhm @ 50A, 10V
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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3.5V @ 75µA
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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4000 PF @ 50 V
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Característica del FET
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-
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Disipación de poder (máxima)
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114W (Tc)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montaje del tipo
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Soporte superficial
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Paquete del dispositivo del proveedor
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PG-TDSON-8-1
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Paquete/caso
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8-PowerTDFN
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Número bajo del producto
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BSC070
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| Parametrics | BSC070N10NS3G |
| CISS | 3000 PF |
| Coss | 520 PF |
| Identificación (@25°C) máximo | 90 A |
| IDpuls máximo | 360 A |
| Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo | -55 °C del °C 150 |
| Ptot máximo | 114 W |
| Paquete | SuperSO8 5x6 |
| Polaridad | N |
| QG (tipo @10V) | 42 nC |
| RDS (encendido) (@10V) máximo | mΩ 7 |
| Rth | 1,1 K/W |
| VDS máximo | 100 V |
| Minuto de VGS (th) máximo | 2,7 V 2 V 3,5 V |