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IRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET

Categoría:
Semiconductores discretos
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Familia:
Productos semiconductores discretos
Categoría:
Componentes Electrónicos-MOSFET (Óxido Metálico)
Serie:
MOSFET HEXFET (óxido de metal)
Número de parte bajo:
IRF1404
Detalles:
Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
Tipo:
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete:
TO220
Montaje del tipo:
A través del agujero
Alta luz:

IRF1404ZPBF Transistor de canal N

,

180A 200W HEXFET FET MOSFET

,

Transistor de canal N 180A 200W

Introducción

IRF1404ZPBF Transistores Canal N 180A 200W Agujero pasante TO-220AB HEXFET FET MOSFET

 

Canal N 180A (Tc) 200W (Tc) Orificio pasante TO-220AB Especificación:

Categoría
Productos semiconductores discretos
 
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante
Tecnologías de Infineon
Serie
HEXFET®
Paquete
Tubo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 voltios
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
3,7 mOhm a 75 A, 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
150 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4340 pF a 25 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto básico
IRF1404

 

Descripción

Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.

Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

 

Clasificaciones ambientales y de exportación
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

número de parte IRF1404ZPBF
Número de parte base IRF1404
RoHS de la UE Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.) EAR99
Estado de la pieza Activo
HTS 8541.29.00.95

 

 

IRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFETIRF1404ZPBF Transistor de canal N 180A 200W HEXFET FET MOSFET

 

 

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Común:
Cuota de producción:
10pieces