Infineon HEXFET Power MOSFET N Canal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
MOSFET de potencia HEXFET de Infineon
,MOSFET de canal N MOSFET 55V 30A
,MOSFET de potencia HEXFET de 55V 30A
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Rectifier IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Productos de semiconductores discretos
Canal N 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Montaje en superficie D-Pak
Descripción
Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento de la unión de 175 °C, una velocidad de conmutación rápida y una clasificación mejorada de avalanchas repetitivas.Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Características :
Tecnología de proceso avanzada Resistencia de encendido ultrabaja Temperatura de funcionamiento de 175 °C Cambio rápido Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Especificaciones técnicas del producto
| número de parte | IRLR3915TRPBF |
| Número de parte base | IRLR3915 |
| RoHS de la UE | Cumple con la exención |
| ECCN (EE. UU.) | EAR99 |
| Estado de la pieza | Activo |
| HTS | 8541.29.00.95 |
|
Categoría
|
Productos semiconductores discretos
|
|
Transistores - FET, MOSFET - Simple
|
|
|
Fabricante
|
Tecnologías de Infineon
|
|
Serie
|
HEXFET®
|
|
Paquete
|
Cinta y carrete (TR)
|
|
Estado de la pieza
|
Activo
|
|
Tipo FET
|
Canal N
|
|
Tecnología
|
MOSFET (óxido de metal)
|
|
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
|
55V
|
|
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
|
30A (Tc)
|
|
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
|
5V, 10V
|
|
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
|
14mOhm @ 30A, 10V
|
|
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
|
3V @ 250µA
|
|
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
|
92 nC a 10 V
|
|
Vgs (Máx.)
|
±16V
|
|
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
|
1870 pF a 25 V
|
|
Función FET
|
-
|
|
Disipación de energía (máx.)
|
120W (Tc)
|
|
Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 175°C (TJ)
|
|
Tipo de montaje
|
Montaje superficial
|
|
Paquete de dispositivo del proveedor
|
Paquete D
|
|
Paquete / Caja
|
TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63
|
|
Número de producto básico
|
IRLR3915
|