FLASH del micrón de M29DW323 M29DW323DT70N6 NI componentes electrónicos de IC TSOP48 de los circuitos integrados de la memoria

FLASH del micrón M29DW323 de M29DW323DT70N6E NI componentes electrónicos de IC TSOP48 de los circuitos integrados de la memoria

- Memoria Flash de la fuente 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16, 8:24 dual del banco, bloque de bota)

El M29DW323D es una memoria permanente de 32 Mbit (4Mb x8 o 2Mb x16) que puede ser leída, ser borrada y ser reprogramada. Estas operaciones se pueden realizar usando una sola fuente de la baja tensión (2,7 a 3.6V). En ciclo inicial los defectos de la memoria a su modo leído. El dispositivo ofrece una arquitectura asimétrica del bloque. El M29DW323D tiene un arsenal de 8 63 principales bloques del parámetro y y se divide en dos bancos, A y B, proporcionando operaciones duales del banco. Mientras que programa o borra en el banco A, lea las operaciones son posibles en el banco B y vice versa. Solamente un banco a la vez se permite estar en programa o modo del borrado.

M29DW323D tiene 32 adicionales KWord (modo x16) o el bloque de 64 kilobytes (modo x8), el bloque extendido, de que se puede alcanzar usando un comando dedicado. El bloque extendido se puede proteger y así que es útil para almacenar la información de seguridad.

Sin embargo la protección es irreversible, protegió una vez la protección no puede ser deshecha

. Cada bloque puede ser borrado independientemente así que es posible preservar datos válidos mientras que se borran los viejos datos.

Los bloques se pueden proteger para evitar que los comandos accidentales del programa o del borrado modifiquen la memoria.

Los comandos del programa y del borrado se escriben al interfaz del comando de la memoria.

Un regulador del programa/del borrado del en-microprocesador simplifica el proceso de programar o de borrar la memoria tomando el cuidado de todas las operaciones especiales que se requieran para poner al día el contenido de la memoria.

El final de una operación del programa o del borrado puede ser detectado y cualquier condición de error identificó.

El comando fijado requerido para controlar la memoria es constante con estándares de JEDEC.

Chip Enable, salida permite y escribe permite control de señales la operación del autobús de la memoria.

Permiten la conexión simple a la mayoría de los microprocesadores, a menudo sin lógica adicional.

La memoria se ofrece en (echada de 6x8m m, de 0.8m m) los paquetes TSOP48 (12x20m m), y TFBGA48.

RESUMEN DE LAS CARACTERÍSTICAS:

VOLTAJE DE FUENTE
– VCC = 2.7V a 3.6V para el programa, el borrado y la lectura
– VPP =12V para el programa rápido (opcional)

EL „ TIEMPO DE ACCESO: 70ns

TIEMPO PROGRAMADO DEL „
– 10µs por el byte/la palabra típicos
– Programa cuádruple del byte de la palabra doble

BLOQUES DE MEMORIA DEL „
– Arsenal dual de la memoria del banco: 8Mbit+24Mbit
– El parámetro bloquea (la ubicación superior o inferior)

EL „ SE DOBLA LAS OPERACIONES
– Lea en un banco mientras que programa o borrado en otro

El „ BORRA PARA SUSPENDER y PARA REANUDAR MODOS
– Lectura y programa que otro bloque durante borrado suspende

EL „ DESBLOQUEA COMANDO DEL PROGRAMA DE PUENTE
– Una programación más rápida de la producción/del lote

PIN del „ VPP/WP para el PROGRAMA y la PROTECCIÓN DE ESCRITURA RÁPIDOS

MODO TEMPORAL DEL BLOQUE UNPROTECTION DEL „

El FLASH COMÚN del „ INTERCONECTA código de seguridad mordido 64

BLOQUE DE MEMORIA EXTENDIDA DEL „
– Bloque adicional usado como bloque de la seguridad o almacenar la información adicional

Recurso seguro del CONSUMO de la ENERGÍA BAJA del „ y recurso seguro automático

CICLOS del „ 100.000 PROGRAM/ERASE por BLOQUE

FIRMA ELECTRÓNICA DEL „
– Fabricante Code: 0020h
– Código de dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
– Código de dispositivo inferior M29DW323DB: 225Fh

Especificación del PARALELO 48TSOP-M29DW323DT70N6E del FLASH 32MBIT de IC:

Números del producto relacionado:

Información el ordenar:

Sobre tecnología del micrón

El micrón hace las soluciones innovadoras de la memoria y del almacenamiento que están ayudando a conducir de hoy la mayoría de las brechas significativas y perturbadoras de la tecnología, tales como inteligencia artificial, Internet de cosas, uno mismo-conduciendo los coches, exploración espacial medicina-uniforme personalizada. Promoviendo más rápido y más modos eficaces de recoger, de almacenar y para manejar datos, están ayudando a revolucionar y mejorar la manera que el mundo comunica, que aprende y que avanza.

Categorías de producto de la tecnología del micrón:

Circuitos integrados (ICs)

Tarjetas de memoria, módulos

Optoelectrónica

Imagen para la referencia:

Clasificaciones ambientales y de la exportación

Número de parte de IC de los circuitos integrados de los substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Vendemos la cartera más amplia de la industria de la memoria y de tecnologías de almacenamiento: COPITA, NAND, y NI memoria ic. Con sociedades de la industria y experiencia cercanas de las soluciones de la memoria, nuestra penetración única nos da la capacidad de dirigir sus necesidades más desafiadoras.

Paralelo relacionado NI catálogo de pieza de destello del circuito integrado: