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MOSFETS del transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF

Categoría:
Componentes electrónicos
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Descripción:
MOSFETs laterales del aumento-modo del canal N
Categoría:
Transistor de poder electrónico componente-RF
Tipo:
MOSFETs
Detalles:
FET N-CH 40V 8A 870MHz 3-Pin PowerSO-10RF del RF del transistor
Información.:
Familia plástica de LdmoST
Número bajo del producto:
PD85035
Situación sin plomo:
Sin plomo/RoHS obediente, RoHS obediente
Introducción

MOSFETS del transistor de poder de PD85035S-E PD85035STR-E PD85035-E RF

El PD85035-E es un canal N de la fuente común, poder lateral del RF del efecto de campo del aumento-modo
transistor. Se diseña para la alta ganancia, los usos comerciales e industriales de banda ancha.
Actúa en 13,6 V en modo de la fuente común en las frecuencias de hasta 1 gigahertz.
PD85035-E se jacta el aumento, las linearidades y la confiabilidad excelentes de la última tecnología del LDMOS del ST montada en el primer verdad
Paquete plástico del poder de SMD RF, PowerSO-10RF.
El funcionamiento superior de las linearidades de PD85035-E le hace una solución ideal para la radio móvil del coche.
El paquete plástico PowerSO-10, diseñado para ofrecer alta confiabilidad, es el primer ST JEDEC
aprobado, paquete del poder más elevado SMD. Se ha optimizado especialmente para las necesidades y las ofertas del RF
funcionamientos del RF y facilidad excelentes de la asamblea.

RF Mosfet 13,6 V 150 mA 870MHz 16dB 15W PowerSO-10RF (recto)/(de la ventaja formó la ventaja)

Categoría
Componentes electrónicos
 
Transistor de poder del RF
Mfr
ST
Serie
MOSFETS
Situación del producto
Activo
Tipo
Familia plástica de LdmoST
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
PowerSO-10RF
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerSO-10RF (ventaja recta) (formó la ventaja)
Número bajo del producto
PD85035

Clasificaciones ambientales y de la exportación

CUALIDADDESCRIPCIÓN
Situación de RoHSRoHS obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL)1 (ilimitado)
ECCNEAR99
HTSUS8543.70.9860


La mayoría de los transistores del efecto de campo de Popular Power: PD85035

IPD90P04P4L04ATMA1SI7431DP-T1-GE3NTF2955T1G
IPD90P04P4L04ATMA2FDN5618PBSP318SH6327XTSA1
SUM110P08-11L-E3SI7431DP-T1-GE3NDT3055L
BSS123IRFP4137PBFIPD50P04P4L11ATMA2
IPB017N10N5LFATMA1IPD90P04P405ATMA1SI7431DP-T1-E3
2N7002BKW, 115BSC014N06NSATMA1SI7431DP-T1-E3
BSS123NTD20P06LT4GIRLML9301TRPBF
NDT2955IRLML2502TRPBFIRF4905STRLPBF
IRLML6402TRPBFBSP315PH6327XTSA1SPP08N80C3XKSA1
IPD50P04P4L11ATMA1IRLML6401TRPBFBSP135H6327XTSA1
Envíe el RFQ
Común:
Cuota de producción:
10pieces