Enviar mensaje
Hogar > productos > Componentes electrónicos > Soporte superficial SOT-523 del Mosfet del canal N de los diodos de DMN26D0UT-7 DMN26

Soporte superficial SOT-523 del Mosfet del canal N de los diodos de DMN26D0UT-7 DMN26

Categoría:
Componentes electrónicos
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Detalles:
Soporte SOT-523 de la superficie 300mW (TA) del mosfet 20 V 230mA (TA) del canal N
Familia:
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Categoría:
Componente-Mosfet electrónico
Paquete:
SOT523
Tipo:
Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individuales
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TA)
Montaje del tipo:
Soporte superficial
Número de parte bajo:
dmn26
Alta luz:

Mosfet del canal N de los diodos DMN26

,

Componentes electrónicos DMN26D0UT-7

,

Soporte superficial del Mosfet del canal N

Introducción

Soporte superficial SOT-523 del mosfet del canal N de los diodos de DMN26D0UT-7 DMN26

Soporte SOT-523 de la superficie 300mW (TA) del canal N 20 V 230mA (TA)

Especificación: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523

Categoría
 
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr
Diodos incorporados
Serie
MOSFET
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
20 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
230mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
3Ohm @ 100mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
1V @ 250µA
Vgs (máximo)
±10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
14,1 PF @ 15 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
300mW (TA)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-523
Paquete/caso
SOT-523
Número bajo del producto
DMN26

Clasificaciones ambientales y de la exportación

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 3 (168 horas)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN 3A991A2
HTSUS 8542.31.0001

La mayoría de los pequeños transistores populares del efecto de campo de la señal

BSS138PS, 115 BSS138LT3G 2N7002P, 235
BSS123,215 BSS138NH6327XTSA2 BSS84AK, 215
BSS138L BSS138-7-F 2N7002K-T1-E3
SBSS84LT1G BSS138W-7-F FDN306P
2N7002K BSS123LT1G BSS123L
BSS138DW-7-F 2N7002DW-7-F 2N7002-TP
2N7002H6327XTSA2 BSS138BKW, 115 BSS84PWH6327XTSA1
2N7002ET1G BSS138-TP 2N7002K
BSS138W BSS138P, 215 BSS84AKW, 115
2N7002K-T1-E3 2N7002KT1G SI2319CDS-T1-GE3
BSS84LT1G BSS138-7-F 2N7002T-7-F
BSS123 BSS138PW, 115 2N7002K-T1-GE3
2N7002DW-7-F 2N7002-7-F BSS138TA
2N7002BKS, 115 BSS138-7-F BSS123-7-F
BSS138W-7-F 2N7002,215 BSS84W-7-F
2N7002PW, 115 BSS138K BSS84-7-F
2N7002DW BSS138BK, 215 2N7002VC-7
BSS138KT-TP BSS138 FDC658AP
BSS123-7-F BSS138W-TP 2N7002BKV, 115
BSS84,215 2N7002P, 215 BSS138DW-7-F
BSS138NH6433XTMA1 2N7002DWH6327XTSA1 BSS84AKM, 315
BSS123W-7-F 2N7002 2N7002-G
2N7002W-7-F BSS138WH6327XTSA1 2N7002WT1G
BSS138 BSS123NH6327XTSA1 2N7002-T1-E3
2N7002LT3G 2N7002KW 2N7002KW-TP
2N7002-T1-GE3 BSS138BKS, 115 2N7002AQ-7
BSS84-7-F BSS84PH6327XTSA2 FDN5630
2N7002DW-TP FDC5614P BSS138AKAR
BSS138NH6327 2N7002BK, 215 BSS84WQ-7-F
BSS138K-13 2N7002K-7 FDN304P
2N7002W 2N7002-T1-E3 SI2319CDS-T1-GE3
FDN338P FDN352AP 2N7002K-TP
BSS123WQ-7-F 2N7002-7-F BSS138WH6433XTMA1
Envíe el RFQ
Común:
Cuota de producción:
1pieces