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Circuitos integrados del FLASH 48VQFN de IC MCU 32BIT 256KB del microchip de ATSAMD51G18A-MU

Categoría:
CI de circuitos integrados
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Descripción:
FLASH 48VQFN DE IC MCU 32BIT 256KB
Categoría:
Circuitos Componente-integrados electrónicos (IC)
Familia:
- Circuitos - microcontrolador integrado IC MCU
Detalles:
ARM Cortex de 32 bits M4F RISC 256KB 3.3V de destello 48-Pin VQFN de MCU
Montaje del tipo:
Montaje superficial
Paquete:
48VQFN
Número de parte bajo:
ATSAMD51G18A
Gama de temperaturas ambiente de funcionamiento:
-40°C ~ 85°C (TA)
Alta luz:

El IC de microchip ATSAMD51G18A-MU

,

Circuitos integrados 48VQFN

,

MCU IC 32BIT 256KB FLASH

Introducción

Circuitos integrados del FLASH 48VQFN de IC MCU 32BIT 256KB del microchip de ATSAMD51G18A-MU

Microcontroladores del BRAZO - FLASH 4 de MCU 120MHZ 256KB 8 QFN

FLASH 48QFN DE IC MCU 32BIT 256KB

Solo-corazón de 32 bits 120MHz 256KB (256K x 8) 48-QFN DE DESTELLO (7x7) de IC del microcontrolador de la serie de ARM® Cortex®-M4F

Especificación de ATSAMD51G18A-MU:

Categoría
Circuitos integrados (ICs)
 
Integrado - microcontroladores
Mfr
Tecnología del microchip
Serie
SAM D51
Paquete
Bandeja
Situación del producto
Activo
Procesador de la base
ARM® Cortex®-M4F
Tamaño de base
Solo-corazón de 32 bits
Velocidad
120MHz
Conectividad
EBI/EMI, ² C, IrDA, LINbus, MMC/SD, QSPI, SPI, UART/USART, USB de I
Periférico
El apagón detecta/el reset, acceso directo de memoria, ² S, POR, PWM de I
Número de entrada-salida
37
Tamaño de la memoria del programa
256KB (256K x 8)
Tipo de la memoria del programa
FLASH
Tamaño de EEPROM
-
RAM Size
128K x 8
Voltaje - fuente (Vcc/Vdd)
1.71V ~ 3.63V
Convertidores de datos
A/D 20x12b; D/A 2x12b
Tipo del oscilador
Interno
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
48-VFQFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor
48-QFN (7x7)
Número bajo del producto
ATSAMD51

Características:

Condiciones de funcionamiento:

• 1.71V a 3.63V, -40°C a +125°C, DC a 100 megaciclos

• 1.71V a 3.63V, -40°C a +105°C, DC a 120 megaciclos

• 1.71V a 3.63V, -40°C a +85°C, DC a 120 megaciclos

Base: Brazo Cortex-M4 de 120 megaciclos

• 403 CoreMark® en 120 megaciclos

• 4 KB combinaron el escondrijo de la instrucción y el escondrijo de los datos

• unidad de la protección de memoria 8-Zone (MPU)

• Sistema de instrucción Thumb®-2

• Trace Module integrado (ETM) con la corriente del rastro de la instrucción

• Base Trace Buffer integrado vista (ETB)

• Trace Port Interface Unit (TPIU)

• Unidad de la coma flotante (FPU)

Memorias

• 1 de destello uno mismo-programable del en-sistema de MB/512 KB/256 KB con:

– Código de corrección de error (ECC)

– El banco dual con Lectura-Mientras que-escribe la ayuda (RWW)

– Emulación del hardware de EEPROM (SmartEEPROM)

• 128 KB, 192 KB, 256 KB SRAM de memoria principal

– 64 KB, 96 KB, 128 KB de opción de RAM del código de corrección de error (ECC)

• Hasta 4 KB de la memoria firmemente juntada (TCM)

• Hasta 8 KB SRAM adicional

– Puede ser conservado en modo de reserva

• Ocho registros de reserva de 32 bits

Sistema

• Poder-en la detección del reset (POR) y del apagón (TÍO)

• Opciones internas y externas del reloj

• Regulador de interrupción externa (EIC)

• 16 interrupciones externas

• Una interrupción no--maskable

• el alambre serial del Dos-perno elimina errores (SWD) de programación, de la prueba, e interfaz de la eliminación de errores

Fuente de alimentación

• Ocioso, espera, hiberne, de reserva, y de modos de sueño

• Periférico SleepWalking

• Ayuda de reserva de batería

• Regulador integrado de Buck/LDO que apoya la selección simultánea

Clasificaciones ambientales y de la exportación

CUALIDAD DESCRIPCIÓN
Situación de RoHS ROHS3 obediente
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL) 3 (168 horas)
Situación del ALCANCE ALCANCE inafectado
ECCN 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

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Común:
Cuota de producción:
100pieces