Enviar mensaje
Hogar > productos > Circuito integrado de sensor de posición rotatoria > Protección de circuito de diodo del Ipp TV de la abrazadera del transporte de NEXPERIA PESD5V0V1BDSF

Protección de circuito de diodo del Ipp TV de la abrazadera del transporte de NEXPERIA PESD5V0V1BDSF

Categoría:
Circuito integrado de sensor de posición rotatoria
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Descripción:
Diodo bidireccional de la protección del ESD de la capacitancia baja misma
Familia:
Lógica de los circuitos integrados (ICs) - Flip Flops
Categoría:
Protección de circuito TV - componentes electrónicos de los diodos
Número de parte bajo:
PESD5V
Detalles:
Diodo del Ipp TV de la abrazadera
Tipo:
Protección de circuito de diodo de las TV
Paquete:
SOD962 (DSN0603-2) 0.6*0.3*0.3M M
Montaje del tipo:
Soporte superficial
Alta luz:

NEXPERIA PESD5V0V1BDSF

,

PESD5V0V1BDSF

,

Diodo del Ipp TV de la abrazadera

Introducción

Protección de circuito de diodo del Ipp TV de la abrazadera del transporte de PESD5V0V1BDSF NEXPERIA para la electrónica portátil

Bidir bajo mismo de la capacitanciadiodo de la protección del ESD del ectionalBidir bajo mismo de la capacitanciadiodo de la protección del ESD del ectionalBidir bajo mismo de la capacitanciadiodo de la protección del ESD del ectionalBidir bajo mismo de la capacitanciadiodo de la protección del ESD del ectionalDiodo bidireccional de la protección del ESD de la capacitancia baja misma

Descripción:

Electros bidireccionales de la capacitancia baja mismadiodo tatic de la protección de la descarga (ESD) en a Paquete Superficie-montado ultra pequeño sin plomo del dispositivo DSN0603-2 (SOD962) (SMD) diseñó proteger una línea de señales contra el daño causado por el ESD y otros transeúntes

Diodo bidireccional de la protección de la descarga electrostática de la capacitancia baja misma (ESD) en un paquete Superficie-montado ultra pequeño sin plomo del dispositivo DSN0603-2 (SOD962) (SMD) diseñado para proteger una línea de señales contra el daño causado por el ESD y otros transeúntes.

Uso:

Microteléfonos y accesorios celulares
Electrónica portátil
Sistemas de comunicación
Ordenadores y periférico

Características:

Protección bidireccional del ESD de una línea

Capacitancia baja misma Cd=5.3pFn del diodo

Protección del ESD hasta ±25 kilovoltio según el pequeño SMD paquete del IEC 61000-4-2nUltra

Estructura optimizada del diodo para la robustez ultra alta del ESD

Información de aplicación:

El PESD5V0V1BDSF se diseña para la protección de una datos o línea de señales de la oleada pulsos y daño del ESD. El dispositivo es conveniente en líneas donde están las polaridades de la señal ambos, positivo y negativo en cuanto a GRound. Proporciona la protección contra oleadas con hasta 20 W por líneaEl PESD5V0V1BDSF se diseña para la protección de una datos o línea de señales de la oleada pulsos y daño del ESD. El dispositivo es conveniente en líneas donde están las polaridades de la señal ambos, positivo y negativo en cuanto a GRound. Proporciona la protección contra oleadas con hasta 20 W por líneaEl PESD5V0V1BDSF se diseña para la protección de una datos o línea de señales contra pulsos de la oleada y daño del ESD. El dispositivo es conveniente en líneas donde están ambas polaridades de la señal, positivo y negativo en cuanto a la tierra. Provee de la protección contra oleadas hasta 20 W por línea

Productos relacionados:

Pieza de Mfr # Mfr Descripción
PESD5V0L1USF, 315 Philip USA Inc. AHORA NEXPERIA PESD5V0L1USF - TRAN
PESD5V0R1BDSFYL Nexperia los USA Inc. PESD5V0R1BDSF/SOD962-2/SOD962-
PESD5V0X1ULD, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V - CAPA ULTRABAJO
PESD5V0V2BMBYL Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V - CAPAC BAJO MISMO
PESD5V0V1BL315 Nexperia los USA Inc. PESD5V0V1BL315
PESD5V0V1BLD Nexperia los USA Inc. AHORA NEXPERIA PESD5V0V1BLD - TRAN
PESD5V0L1ULD, 315 Nexperia los USA Inc. NEXPERIA PESD5V0L1ULD - VO DEL TRANSPORTE
PESD5V0U2BMB, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0U2BMB - VO DEL TRANSPORTE
PESD5V0X1BQ, 115 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0X1BQ - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0G1BLYL Nexperia los USA Inc. PESD5V0G1BL - CAPACITAN BAJO MISMO
PESD5V0S2UQ/S911115 Nexperia los USA Inc. NEXPERIA PESD5V0S2UQ - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0L5UV/DG125 Nexperia los USA Inc. NEXPERIA PESD5V0L5UV - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0S1USF, 315 Nexperia los USA Inc. NEXPERIA PESD5V0S1USF - VO DEL TRANSPORTE
PESD5V0V1BCSF, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0V1BCSF - TRANSPORTE V
PESD5V0V1BDSF, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0V1BDSF - TRANSPORTE V
PESD5V0F1BSF, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0F1BSF - VO DEL TRANSPORTE
PESD5V0X2UAMYL Nexperia los USA Inc. PESD5V0X2UAM - CAPACIT ULTRABAJO
PESD5V0C1BZFYL Nexperia los USA Inc. PESD5V0C1B - VOLTAJE SUPPR DEL TRANSPORTE
PESD5V0U5BF, 115 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0U5BF - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0U4BF, 115 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0U4BF - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0U1UT, 215 Philip USA Inc. AHORA NEXPERIA PESD5V0U1UT - TRANSPORTE
PESD5V0V1BCSF Philip USA Inc. AHORA NEXPERIA PESD5V0V1BCSF - TRA
PESD5V0L4UW, 115 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0L4UW - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0L2UU, 115 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0L2UU - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0V1BLD315 Nexperia los USA Inc. AHORA NEXPERIA PESD5V0V1BLD - TRAN
PESD5V0U1BL, 315 Semiconductores de Philip NEXPERIA PESD5V0U1BL - TRANSPORTE VOL.
PESD5V0L1UL, 315 Nexperia los USA Inc. NEXPERIA PESD5V0L1UL - TRANSPORTE VOL.

Imágenes:

Protección de circuito de diodo del Ipp TV de la abrazadera del transporte de NEXPERIA PESD5V0V1BDSFProtección de circuito de diodo del Ipp TV de la abrazadera del transporte de NEXPERIA PESD5V0V1BDSF

Envíe el RFQ
Común:
Cuota de producción:
100pcs