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MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

Categoría:
CI de circuitos integrados
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Uso:
Cargador integrado Placa base Notebook DC-DC VRD/VRM LED Control de motor
Detalles:
BSC010NE2LSI OptiMOS MOSFET de potencia de canal N de 25 V
Nombre de productos:
Circuitos integrados (IC)
Categoría:
componentes electrónicos
Familia de IC:
Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individuales
El otro nombre:
BSC010
Paquete:
TDSON8
Situación sin plomo:
RoHS obediente, PB libre, sin plomo
Alta luz:

MOSFET de potencia de canal N OptiMOS de 25 V

,

BSC010NE2LSI MOSFET de potencia de canal N

,

BSC010NE2LSI OptiMOS de 25 V

Introducción

MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS de 25V para cargador integrado, placa base, portátil, DC-DC, VRD/VRM, control de Motor LED

 

Aplicaciones:

Cargador a bordo
placa base
Computadora portátil
CC-CC
VRD/VRM
LED
Control del motor

Con la familia de productos OptiMOS™ de 25 V, Infineon establece nuevos estándares en densidad de potencia y eficiencia energética para MOSFET de potencia discretos

y sistema en paquete.Carga de puerta y salida ultrabaja, junto con la resistencia en estado de encendido más baja en paquetes de tamaño reducido,

hacen de OptiMOS™ 25V la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de reguladores de voltaje en servidores, comunicaciones de datos y aplicaciones de telecomunicaciones.Disponible en configuración de medio puente (etapa de potencia 5x6).

 

Beneficios :

 

Ahorre costos generales del sistema al reducir el número de fases en convertidores multifásicos
Reduzca las pérdidas de energía y aumente la eficiencia para todas las condiciones de carga
Ahorre espacio con paquetes más pequeños como CanPAK™, S3O8 o sistema en solución de paquete
Minimice la EMI en el sistema, lo que hace que las redes de amortiguamiento externas sean obsoletas y que los productos sean fáciles de diseñar.

 

 

MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

 

Especificaciones:

Categoría
Productos semiconductores discretos
 
Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante
Tecnologías de Infineon
Serie
OptiMOS™
Paquete
Cinta y carrete (TR)
Estado de la pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3,5 V a 75 µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs
55 nC a 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4000 pF a 50 V
Función FET
-
Disipación de energía (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-1
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto básico
BSC070
Paramétrico BSC070N10NS3G
ciss 3000pF
costo 520pF
ID (@25°C) máx. 90A
IDpuls máx. 360A
Temperatura de funcionamiento mín. máx. -55 °C 150 °C
punto máx. 114W
Paquete SuperSO8 5x6
Polaridad norte
QG (tipo @10V) 42 nC
RDS (encendido) (@10V) máx. 7 mΩ
derecho 1,1 kilovatios/W
VDS máx. 100 V
VGS(th) mín. máx. 2,7 V 2 V 3,5 V

MOSFET de potencia de canal N BSC010NE2LSI OptiMOS 25V para placa base de cargador a bordo

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Común:
Cuota de producción:
1pieces