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Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT

Categoría:
Semiconductores discretos
Precio:
Negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union
Especificaciones
Familia:
Productos semiconductores discretos
Categoría:
Componentes Electrónicos-IGBTs Transistores
TIPO IGBT:
NPT, parada de campo de zanja
Número de parte bajo:
H30R1602
Detalles:
IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
Usos:
Cocción inductiva, aplicaciones de conmutación suave
Descripción:
IGBT NPT, parada de campo de zanja 1600 V 60 A 312 W Orificio pasante PG-TO247-3-1
Paquete:
TO247
Montaje del tipo:
A través del agujero
Alta luz:

Transistor IHW30N160R2 IGBT

,

semiconductor de potencia H30R1602

,

IHW30N160R2

Introducción

IHW30N160R2 IGBTs Transistores H30R1602 Serie de conmutación suave Semiconductores de potencia IC IHW30N160R2FKSA1Serie de conmutación suave

 

Aplicaciones:
• Cocina inductiva
• Aplicaciones de conmutación suave

 

Descripción:

TrenchStop® de conducción inversa (RC-)IGBT con diodo de cuerpo monolítico
Características:
• Potente diodo de cuerpo monolítico con voltaje directo muy bajo
• El diodo del cuerpo sujeta los voltajes negativos
• La tecnología Trench y Fieldstop para aplicaciones de 1600 V ofrece:
- distribución de parámetros muy estrecha
- alta robustez, comportamiento estable a la temperatura
• La tecnología NPT ofrece una fácil capacidad de conmutación en paralelo debido a
coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat)
• EMI baja
• Calificado según JEDEC1
para aplicaciones de destino
• Recubrimiento de plomo libre de Pb;RoHS

 

Especificación: IGBT NPT, tope de campo de trinchera 1600 V 60 A 312 W Orificio pasante PG-TO247-3-1

número de parte IHW30N160R2
Categoría
Productos semiconductores discretos
 
Transistores - IGBT - Únicos
Serie
TrenchStop®
Paquete
Tubo
Tipo de IGBT
NPT, parada de campo de zanja
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.)
1600 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)
90A
Vce(on) (Máx.) @ Vge, Ic
2,1 V a 15 V, 30 A
Potencia - Máx.
312W
Energía de conmutación
4,37 mJ
Tipo de entrada
Estándar
Carga de la puerta
94 nC
Td (encendido/apagado) @ 25°C
-/525ns
Condición de prueba
600 V, 30 A, 10 ohmios, 15 V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
A través del orificio
Paquete / Caja
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
PG-TO247-3-1

 

Clasificaciones ambientales y de exportación
ATRIBUTO DESCRIPCIÓN
Estado RoHS Cumple con ROHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
REACH Estado REACH no afectado
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

número de parte IHW30N160R2FKSA1
Número de parte base IHW30N160R2
RoHS de la UE Cumple con la exención
ECCN (EE. UU.) EAR99
Estado de la pieza Activo
HTS 8541.29.00.95

Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBTSemiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT

 

Semiconductor de potencia del transistor H30R1602 de IHW30N160R2 IGBT

 

Suplentes (1):
 
IXGH24N170 IXYS
Envíe el RFQ
Común:
Cuota de producción:
10pieces